半導體行業(yè)

    當前，隨著(zhù)半導體技術(shù)不斷微縮，先進(jìn)的集成 電路器件已從平面向三維結構轉變，集成電路制造工藝正變得越來(lái)越復雜，往往需要經(jīng)過(guò)幾百甚至上千道的工藝步驟 。對于先進(jìn)的半導體器件制造，每經(jīng)過(guò)一道工藝，硅片表面都會(huì )或多或少地存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留 等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益復雜性，使得半導體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數量越來(lái)越敏 感。對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求，其關(guān)鍵點(diǎn)在于克服污染微顆粒與基材之間極大的 吸附力，傳統的化學(xué)清洗、機械清洗、超聲清洗方法均無(wú)法滿(mǎn)足需求，而激光清洗可以很容易解決此類(lèi)污染問(wèn)題。

    另外，隨著(zhù)集成電路器件尺寸持續縮小，清洗工藝過(guò)程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問(wèn) 題，將微粒去除而又沒(méi)有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無(wú)熱效應，不會(huì )對被清 洗物體產(chǎn)生表面損壞，且不會(huì )產(chǎn)生二次污染等傳統清洗方法所無(wú)法比擬的優(yōu)勢，是解決半導體器件污染最佳的清洗方 法，。